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MicroChem光刻胶光刻前的清洗工艺是如何做到的
发布时间:2019-06-26 点击次数:88次
   MicroChem光刻胶光刻前的清洗工艺是如何做到的:
  为了获得更好的光刻效果,在进行光刻胶旋涂之前,需要对基材进行清洗。常用的清洗方法是利用浓硫酸及双氧水的混合溶液浸泡,随后用去离子水清洗并用氮气吹干。除此之外还可以利用反应离子刻蚀或等离子表面清洗仪清洗。
  MicroChem光刻胶光刻工艺:
  将MicroChem光刻胶组分旋涂在基材上,旋涂厚度几至几百微米。涂覆晶片经过前烘并冷却至室温。在烘干过程中,优先选择加热均匀且温度控制精确的加热板;不能使用鼓风干燥箱,防止因为光刻胶表面优先固化从而阻止内层光刻胶溶剂的挥发。冷却后,将负光掩模与涂覆晶片接触并在汞灯的紫外辐射剂量10-250mJ/㎝²条件下进行曝光。曝光结束后,选择合适的烘烤温度及时间。将晶片在显影液中浸渍显影,随后用氮气吹干。
  MicroChem光刻胶的优点:
  1、MicroChem光刻胶在近紫外光(365nm-400nm)范围内光吸收度很低,且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;
  2、MicroChem光刻胶具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性;
  3、MicroChem光刻胶在受到紫外辐射后发生交联,是一种化学扩大负性胶,可以形成台阶等结构复杂的图形;
  4、MicroChem光刻胶不导电,在电镀时可以直接作为绝缘体使用。
  以上便是今天关于MicroChem光刻胶光刻前的清洗工艺是如何做到的的全部分享了,希望对大家今后使用本设备能有帮助。
  

 
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