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反应离子刻蚀机PlasmaStar 100

型    号:PlasmaStar 100/100 RIE
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仪器介绍
PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料,拥有多种腔室和电极配置,可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小,用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外,触摸屏计算机控制,多级程序控制和组件控制,操作简单。PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。

反应离子刻蚀机PlasmaStar 100产品概述:

腔室材料是硬质阳极氧化铝, 有几种不同的电极设计,包括用于反应离子刻蚀(RIE)和平面处理的水冷平板电极,用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极,用于最小化离子损伤的下游电极,和用于普通的圆柱形笼式电极。

1、腔体尺寸:直径≥200mm,深度≥280mm

2、腔体材质:硬质阳极氧化铝矩形腔体;

3、处理腔背面材质:铝;

4、处理腔门:要求全自动腔门;

5、两路工艺气体,≥2路质量流量控制器控制气体流量,气体输入腔室带匀流设计;

6、射频功率:0~600W连续可调,13。56MHz,自动匹配,自然风冷;

7、配备RIE平面水冷平板电极;

87英寸及以上显示器、触摸屏、图形用户界面; 

9、程序控制:触摸屏电脑控制,无线程序存储;

10Windows操作系统,兼容Windows office软件,USB接口,可进行外部电脑远程控制的功能;

11、状态和出错信息提示,过程数据和出错信息存储,可选择自动和手动操作模式,过程数据可以导出,工艺参数以图形方式呈现,可实时监控,自动实现泄露检测;

12、配套紧急急停按钮(EMO),配套电路断路器,机械联锁(门传感器)和真空联锁(压力开关),通过软件可进行远程的真空联锁;

13、典型的光刻胶刻蚀速率:80nm/min

14、典型工艺均匀性:≥±10%

 

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